Baccalauréat STI Génie Electronique           Session  sept 1999

Epreuve n05 : Etude d'un Système Technique     Repère AN8

 

RAM 6116

6116_p.gif (7602 octets)

'6116' Description générale :

cette mémoire de type RAM statique est organisée sous forme d'une matrice de 2048 mots de 8 bits par mot. Alimentée sous 5V, elle est compatible TTL. Son fonctionnement entièrement statique ne nécessite pas d'horloge ou de cycle de rafraîchissement. Lorsque la broche de validation du boîtier est à un niveau haut de tension, la mémoire est en mode attente : ses sorties sont dans 1'état haute impédance et elle consomme un minimum d'énergie.

Caractéristiques:

1) Tension d'alimentation de 5V (+/-10%);
2)  Temps d' accès maximum: 150 ns; 200 ns ou 250 ns selon la version.

Description des broches de la mémoire '6116':

Numéro de broche Fonction
A10..A0
I/O3..I/O1
/CE(18)
/OE(20)
/WE(21)
Vcc ; Vss		 Entrées d'adresses
Entrées et sorties de données
Validation du boîter
Sortie de validation
Validation d'écriture
+5V ; 0V

Table de vérité de la mémoire '6116':

/CE
1
0
0
0		 /OE
X
X
0
1		 /WE
X
0
1
1		 Mode
Non sélection
Ecriture
Lecture
Lecture		 I/O3..I/O1
Haute Impédance
D7..D0(Entrées)
D7..D0(Sorties)
Haute Impédance		 Alimentation
Attente (Standby)
Active
Active
Active